Indiumphosphid

Kristallstruktur
Struktur von Indiumphosphid
Vorlage:Farbe In3+ 0 Vorlage:Farbe P3−
Allgemeines
Name	Indiumphosphid
Andere Namen	Indium(III)-phosphid
Verhältnisformel	InP
Kurzbeschreibung	dunkelgrauer Feststoff<ref name="GESTIS"/>
Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer Vorlage:CASRN EG-Nummer 244-959-5 ECHA-InfoCard 100.040.856 PubChem 31170 DrugBank Vorlage:Wikidata-Einbindung Wikidata [[:d:|]]
Eigenschaften
Molare Masse	145,79 g·mol−1
Aggregatzustand	fest
Dichte	4,79 g·cm−3<ref name="GESTIS"/>
Schmelzpunkt	1070 °C<ref name="GESTIS"/>
Löslichkeit	praktisch unlöslich in Wasser<ref name="GESTIS"/>
Sicherheitshinweise
GHS-GefahrstoffkennzeichnungVorlage:CLH-ECHA<ref name="GESTIS">Eintrag zu Vorlage:Linktext-Check in der GESTIS-Stoffdatenbank des IFAVorlage:Abrufdatum (JavaScript erforderlich)</ref> Gefahrensymbol Gefahr H- und P-Sätze H: 350​‐​361f​‐​372 P: 201​‐​280​‐​308+313<ref name="GESTIS"/>
MAK	aufgehoben, da cancerogen<ref name="GESTIS"/>
Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa).

Indiumphosphid ist eine Halbleiterverbindung aus der Gruppe der binären III-V-Verbindungshalbleiter, die in der Hochfrequenztechnik für Laser für die dämpfungsarme langreichweitige Datenkommunikation um 1550 nm über Glasfaserkabel, in der Hochleistungselektronik sowie der Herstellung von Integrierten Schaltkreisen (Sandwich-Chips) mit Taktfrequenzen bis 1 THz und darüber<ref>Sandwich-Chips: Das Beste aus zwei Technologien (PDF; 149 kB). Pressemitteilung des Ferdinand-Braun-Instituts, 18. Dezember 2012.</ref> und bei Bauelementen im Bereich der Hochfrequenztechnik wie der Gunndiode eingesetzt wird. Grund für diese Einsatzbereiche ist die gegenüber Silicium sehr hohe Elektronenbeweglichkeit im Gitter.

Indiumphosphid besitzt eine direkte Bandlücke, wodurch die Verbindung für Laserdioden, LEDs, Detektoren und andere Anwendungen im Bereich der Optoelektronik gut geeignet ist. Weiterhin eignet sich Indiumphosphid als Basismaterial für photonische Kristalle.

Gewinnung und Darstellung

InP-basierte Bauelementschichten werden derzeit in der Regel auf InP-Substraten, die als Einkristalle hergestellt werden, mittels der metallorganischen Gasphasenepitaxie gewachsen. Seltener kommen auf der Molekularstrahlepitaxie basierende Verfahren zum Einsatz, mit denen sich reinere Schichten und hochwertigere Grenzflächen realisieren lassen.

• Indiumphosphid: Kristalle
  Indiumphosphid:
  Kristalle
• Indiumphosphid: polierte Seite oben
  Indiumphosphid:
  polierte Seite oben
• Nanokristall-Oberfläche, Elektronenmikroskop-Aufnahme, die gewachsenen Indiumoxidbereiche sind künstlich eingefärbt.
  Nanokristall-Oberfläche, Elektronenmikroskop-Aufnahme, die gewachsenen Indiumoxidbereiche sind künstlich eingefärbt.

Eigenschaften

Die temperaturabhängige Bandlücke hat bei 300 K (ca. 27 °C) einen Wert von 1,34 eV.<ref>Physikalische Eigenschaften von Indiumphosphid (engl.)</ref>

Sicherheitshinweise

Indiumphosphid ist als krebserregend eingestuft.<ref name="GESTIS"/>

Einzelnachweise

<references />