Arsen(III)-selenid

Kristallstruktur
Vorlage:Farbe As3+ 0 Vorlage:Farbe Se2−
Kristallsystem	monoklin
Raumgruppe	P21/n (Nr. 14, Stellung 2)Vorlage:Raumgruppe/14.2
Gitterparameter	a = 1207,74 pm b = 990,37 pm c = 428,35 pm β = 90,458°<ref>A.C. Stergiou, P.J. Rentzeperis: The crystal structure of arsenic selenide, As2Se3. In: Zeitschrift für Kristallographie, 1985, 173, S. 185–191 doi:10.1524/zkri.1985.173.3-4.185</ref>
Allgemeines
Name	Arsen(III)-selenid
Andere Namen	Arsentriselenid
Verhältnisformel	As2Se3
Kurzbeschreibung	brauner geruchloser Feststoff<ref name="Alfa"/>
Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer Vorlage:CASRN EG-Nummer 215-119-5 ECHA-InfoCard 100.013.745 PubChem 14772 DrugBank Wikidata [[:d:|]]
Eigenschaften
Molare Masse	386,7 g·mol−1
Aggregatzustand	fest
Dichte	4,75 g·cm−3<ref name="Alfa" />
Schmelzpunkt	360 °C<ref name="Alfa" />
Löslichkeit	nahezu unlöslich in Wasser<ref name="Alfa">Datenblatt Arsenic(III) selenide, 99.999% (metals basis) bei Alfa AesarVorlage:Abrufdatum (Seite nicht mehr abrufbar).</ref>
Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung aus Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 (CLP),<ref name="CLP_100.240.769">Nicht explizit in Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 (CLP) gelistet, fällt aber mit der angegebenen Kennzeichnung unter die Gruppeneinträge zu arsenic compounds, with the exception of those specified elsewhere in this Annex und selenium compounds with the exception of cadmium sulphoselenide and those specified elsewhere in this Annex in der Datenbank ECHA CHEM der Europäischen Chemikalienagentur (ECHA)Vorlage:Abrufdatum Hersteller bzw. Inverkehrbringer können die harmonisierte Einstufung und Kennzeichnung erweitern.</ref> ggf. erweitert<ref name="GESTIS">Eintrag zu Arsentriselenid in der GESTIS-Stoffdatenbank des IFAVorlage:Abrufdatum (JavaScript erforderlich)</ref> Gefahr H- und P-Sätze H: 301​‐​331​‐​373​‐​410 P: 260​‐​264​‐​301+310​‐​304+340​‐​311​‐​403+233<ref name="GESTIS" />
Toxikologische Daten	> 5000 mg·kg−1 (LD50, Ratte, oral)<ref name="GESTIS" />
Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa).

Arsen(III)-selenid (As₂Se₃) ist ein Selenid gebildet aus den beiden chemischen Elementen Arsen und Selen.

Gewinnung und Darstellung

Arsen(III)-selenid kann durch Reaktion der Elemente im Vakuum bei Temperaturen über 200 °C gewonnen werden.<ref name="Moriaki Wakaki, Takehisa Shibuya, Keiei Kudo(deceased)">Moriaki Wakaki, Takehisa Shibuya, Keiei Kudo(deceased): Physical Properties and Data of Optical Materials. CRC Press, 2007, ISBN 978-1-4200-1550-8, S. 30 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche). </ref>

<math>\mathrm{2 \ As + 3 \ Se \longrightarrow As_2Se_3}</math>

Eigenschaften

Arsen(III)-selenid ist ein schwarzglänzendes sprödes Granulat oder blättriges Pulver, das praktisch unlöslich in Wasser ist. Es ist instabil bei erhöhter Temperatur. Infolge leichter Oxidierbarkeit muss stets mit der Anwesenheit von Arsen- und Selenoxid gerechnet werden. Der Schmelzpunkt der amorphen Substanz unter Luftausschluss liegt bei 360 °C.<ref name="GESTIS" /> Arsen(III)-selenid besitzt eine monokline Kristallstruktur mit der Raumgruppe P2₁/n (Raumgruppen-Nr. 14, Stellung 2)Vorlage:Raumgruppe/14.2.<ref name="Jean d’Ans, Ellen Lax, Roger Blachnik"></ref> Es existiert jedoch noch zwei Hochdruckmodifikationen, wobei die zuerst entstehende eine monokline Kristallstruktur mit der Raumgruppe C2/m (Raumgruppen-Nr. 12)Vorlage:Raumgruppe/12 besitzt.<ref name="Z. Borisova">Z. Borisova: Glassy Semiconductors. Springer Science & Business Media, 2013, ISBN 978-1-4757-0851-6, S. 191 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche). </ref>

Verwendung

Anwendung findet Arsentriselenid als lichtempfindliche Beschichtung und als Photoleiter an der Oberfläche der Transfertrommel bei Geräten der Elektrofotografie wie Kopiergeräten und Laserdruckern.<ref name="eppat1"/> Arsenselenid wird als Chalcogenidglas für Infrarotoptiken verwendet, da es Licht mit Wellenlängen zwischen 870 nm und 17.200 nm überträgt.<ref name="Alfa" />

Einzelnachweise

<references> <ref name="eppat1">Patent EP26384: Verfahren zum Glätten einer aus As₂Se₃ bestehenden fotoleitenden Schicht. Angemeldet am 12. September 1980, veröffentlicht am 8. April 1981, Anmelder: Siemens Aktiengesellschaft, Erfinder: Eberhard Bayer, Karl Kempter, Hauke Harms, Andreas Meyer.‌</ref> </references>