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Borphosphid

aus Wikipedia, der freien Enzyklopädie
Kristallstruktur
Kristallstruktur von Borphosphid
Vorlage:Farbe B3+ 0 Vorlage:Farbe P3−
Kristallsystem

Zinkblende

Raumgruppe

F43m (Nr. 216)Vorlage:Raumgruppe/216<ref name="Lax" />

Allgemeines
Name Borphosphid
Verhältnisformel BP
Kurzbeschreibung

farblose oder je nach Dotierung orangerote bis rotbraune Kristalle<ref name="berger"/>

Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer Vorlage:CASRN
EG-Nummer 243-593-3
ECHA-InfoCard 100.039.616
PubChem 88409
Wikidata [[:d:Lua-Fehler in Modul:Wikidata, Zeile 1492: attempt to index field 'wikibase' (a nil value)|Lua-Fehler in Modul:Wikidata, Zeile 1492: attempt to index field 'wikibase' (a nil value)]]
Eigenschaften
Molare Masse 41,78 g·mol−1
Aggregatzustand

fest<ref name="Lax" />

Schmelzpunkt

1227 °C (Zersetzung)<ref name="Lax">Jean d'Ans, Ellen Lax, Roger Blachnik: Taschenbuch für Chemiker und Physiker. Springer, 1998, ISBN 3-642-58842-5, S. 320 (eingeschränkte Vorschau in der Google-BuchsucheSkriptfehler: Ein solches Modul „Vorlage:GoogleBook“ ist nicht vorhanden.).</ref>

Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung
keine Einstufung verfügbar<ref name="NV">Dieser Stoff wurde in Bezug auf seine Gefährlichkeit entweder noch nicht eingestuft oder eine verlässliche und zitierfähige Quelle hierzu wurde noch nicht gefunden.</ref>
Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa).

Borphosphid (BP) ist ein III-V-Verbindungshalbleiter in Zinkblende-Struktur bestehend aus den beiden Elementen Bor und Phosphor und wurde 1891 synthetisiert.<ref name="Popp1"/><ref name="Moissan"/>

Gewinnung und Darstellung[Bearbeiten]

Borphosphid kann aus den Elementen bei Drücken und Temperaturen über 20 kbar und 1200 °C synthetisiert werden. Kristalle von Borphosphid können weiterhin unter Verwendung von Mischungen von Bor, Phosphor und Bortrioxid, Bor und Borphosphat und Bor und Phosphorpentoxid synthetisiert werden.<ref name="DOI10.1016/0022-0248(73)90038-9">K. P. Ananthanarayanan, C. Mohanty, P. J. Gielisse: Synthesis of single crystal boron phosphide. In: Journal of Crystal Growth. 20, 1973, S. 63–67, doi:10.1016/0022-0248(73)90038-9.</ref>

Eigenschaften[Bearbeiten]

Das Halbleitermaterial weist einem Bandabstand von 2,1 eV bei 300 K auf.<ref name="Madelung"/> Hochreines Borphosphid ist optisch transparent. n-dotiertes Borphosphid weist eine orange-rote Farbe auf, p-dotiertes Borphosphid ist dunkelrotbraun.<ref name="berger"/>

Verwendung[Bearbeiten]

Borphosphid wird unter anderem als Werkstoff in speziellen Leuchtdioden (LEDs) eingesetzt.<ref name="Udagawa"/>

Einzelnachweise[Bearbeiten]

<references> <ref name="Madelung">Vorlage:Cite book/URLVorlage:Cite book/Meldung2Vorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/Meldung</ref> <ref name="Popp1">P. Popper, T. A. Ingles: Boron Phosphide, a III–V Compound of Zinc-Blende Structure. In: Nature. 179, 1957, S. 1075–1075, doi:10.1038/1791075a0.</ref> <ref name="Moissan">Vorlage:Cite book/URLVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/Meldung2</ref> <ref name="berger">Vorlage:Cite book/URLVorlage:Cite book/Meldung2Vorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/Meldung</ref> <ref name="Udagawa">Patent US6809346: Boron phosphide-based semiconductor light-emitting device, production method thereof, and light-emitting diode. Angemeldet am 9. März 2004, veröffentlicht am 26. Oktober 2004, Erfinder: Takashi Udagawa.‌</ref> </references>