Gallium(I)-oxid

Allgemeines
Name	Gallium(I)-oxid
Andere Namen	Digalliumoxid Galliumsuboxid
Summenformel	Ga2O
Kurzbeschreibung	braunschwarzer Feststoff<ref name="brauer">Georg Brauer (Hrsg.), unter Mitarbeit von Marianne Baudler u. a.: Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie. 3., umgearbeitete Auflage. Band I, Ferdinand Enke, Stuttgart 1975, ISBN 3-432-02328-6, S. 857.</ref>
Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer Vorlage:CASRN ECHA-InfoCard PubChem 16702109 ChemSpider 34990294 DrugBank Wikidata [[:d:|]]
Eigenschaften
Molare Masse	155,44 g·mol−1
Aggregatzustand	fest<ref name="brauer" />
Dichte	4,77 g·cm−3<ref name="WebElements">WebElements: WebElements Periodic Table of the Elements – digiallium oxide, abgerufen am Mittwoch, 26. Februar 2014</ref>
Schmelzpunkt	>660 °C<ref name="WebElements" />
Löslichkeit	reagiert mit Wasser<ref name="Jane E. Macintyre">Jane E. Macintyre: Dictionary of Inorganic Compounds. CRC Press, 1992, ISBN 0-412-30120-2, S. 3305 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche). </ref>
Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung keine Einstufung verfügbar<ref name="NV">Dieser Stoff wurde in Bezug auf seine Gefährlichkeit entweder noch nicht eingestuft oder eine verlässliche und zitierfähige Quelle hierzu wurde noch nicht gefunden.</ref>
Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa).

Gallium(I)-oxid ist eine anorganische chemische Verbindung des Galliums aus der Gruppe der Oxide.

Gewinnung und Darstellung

Gallium(I)-oxid kann durch Reaktion von Gallium(III)-oxid im Vakuum mit erhitztem Gallium gewonnen werden.<ref name="brauer" />

<math>\mathrm{Ga_2 O_3 + 4 \ Ga \longrightarrow 3 \ Ga_2 O}</math>

Es kann auch durch Reaktion von Gallium mit Kohlendioxid bei niedrigem Druck und 850 °C gewonnen werden.<ref name="Sharp">N. N. Greenwood: The Chemistry of Gallium. In: H. J. Emeléus, A. G. Sharpe (Hrsg.): Advances in inorganic chemistry and radiochemistry. Vol. 5. Academic Press, New York 1963, ISBN 0-08-057854-3, S. 91–134, hier S. 94 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche). </ref>

<math>\mathrm{2 \ Ga + CO_2 \longrightarrow Ga_2O + CO}</math>

Es entsteht auch bei der Herstellung von Galliumarsenid-Wafern durch Reaktion mit Siliziumdioxid aus Quarzunterlagen.<ref name="Paul Siffert, Eberhard Krimmel">Paul Siffert, Eberhard Krimmel: Silicon: Evolution and Future of a Technology. Springer, 2004, ISBN 3-540-40546-1, S. 439 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche). </ref><ref name="L.-J. Chou">L.-J. Chou: Nanoscale One-dimensional Electronic and Photonic Devices (NODEPD). The Electrochemical Society, 2007, ISBN 978-1-56677-574-8, S. 47 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche). </ref>

<math>\mathrm{4 \ Ga + SiO_2 \longrightarrow 2 \ Ga_2O + Si}</math>

Eigenschaften

Gallium(I)-oxid ist ein braunschwarzer diamagnetischer Feststoff, der an trockener Luft beständig ist. Im inerten Gasstrom von 1 bar erfolgt merkliche Verflüchtigung bei 660 °C. Im Hochvakuum erfolgt ab 500 °C Verflüchtigung und ab 700 °C Zerfall in Gallium(III)-oxid und Gallium.<ref name="brauer" />

Einzelnachweise

<references />

Vorlage:Klappleiste/Anfang Oxidationsstufe (I):  Bor(I)-oxid (B₂O)_x | Aluminium(I)-oxid | Gallium(I)-oxid | Indium(I)-oxid In₂O | Thallium(I)-oxid

Oxidationsstufe (II):  Bor(II)-oxid (BO)_x | Aluminium(II)-oxid AlO

Oxidationsstufe (III):  Bortrioxid | Aluminiumoxid | Gallium(III)-oxid | Indium(III)-oxid | Thallium(III)-oxid Vorlage:Klappleiste/Ende