HMOS
HMOS bezeichnet eine Halbleitertechnik-Generation und ist ein Akronym für das englische high-performance MOS (engl. für Metall-Oxid-Halbleiter). HMOS findet in integrierten Schaltkreisen hoher Packungsdichte mit NMOS-Logik Anwendung. Zuvor waren Strukturgrößen von 6 µm bis 10 µm etabliert. Andere Halbleitertechnologien sind unter den Bezeichnungen HCMOS, PMOS und den heute überwiegend eingesetzten CMOS bekannt.<ref>vgl. Skriptfehler: Ein solches Modul „Vorlage:Literatur“ ist nicht vorhanden.</ref>
| Generation | Einführung | Kanallänge | Gatterverzögerung |
|---|---|---|---|
| HMOS I | 1976 | ≈ 3 µm | 100 ns |
| HMOS II | 1979 | ≈ 2 µm | 30 ns |
| HMOS III | 1982 | ≈ 1,5 µm | 10 ns |
Literatur[Bearbeiten]
- Skriptfehler: Ein solches Modul „Vorlage:Literatur“ ist nicht vorhanden.
Einzelnachweise[Bearbeiten]
<references />