Indiumarsenid

Kristallstruktur
Struktur von Indiumarsenid
Vorlage:Farbe In3+ 0 Vorlage:Farbe As3−
Allgemeines
Name	Indiumarsenid
Andere Namen	Indium(III)-arsenid
Verhältnisformel	InAs
Kurzbeschreibung	grauer, geruchloser Feststoff<ref name="alfa"/>
Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer Vorlage:CASRN EG-Nummer 215-115-3 ECHA-InfoCard 100.013.742 PubChem 91500 ChemSpider 82621 DrugBank Wikidata [[:d:|]]
Eigenschaften
Molare Masse	189,74 g·mol−1
Aggregatzustand	fest
Dichte	5,68 g·cm−3<ref>Ioffe institute data archive/Basisdaten InAs</ref>
Schmelzpunkt	936 °C<ref name="alfa" />
Löslichkeit	nahezu unlöslich in Wasser<ref name="alfa"/>
Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung aus Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 (CLP),<ref name="CLP_100.240.769">Nicht explizit in Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 (CLP) gelistet, fällt aber mit der angegebenen Kennzeichnung unter den Gruppeneintrag Arsenverbindungen, mit Ausnahme der namentlich in diesem Anhang bezeichneten in der Datenbank ECHA CHEM der Europäischen Chemikalienagentur (ECHA)Vorlage:Abrufdatum Hersteller bzw. Inverkehrbringer können die harmonisierte Einstufung und Kennzeichnung erweitern.</ref> ggf. erweitert<ref name="alfa">Datenblatt Indium arsenide, 99.9999% (metals basis) bei Alfa AesarVorlage:Abrufdatum (Seite nicht mehr abrufbar).</ref> Gefahr H- und P-Sätze H: 301​‐​331​‐​410 P: 261​‐​264​‐​403+233<ref name="alfa" />
Thermodynamische Eigenschaften
ΔHf0	−58,6 kJ/mol<ref name="CRC90_5_5">David R. Lide (Hrsg.): CRC Handbook of Chemistry and Physics. 90. Auflage. (Internet-Version: 2010), CRC Press / Taylor and Francis, Boca Raton FL, Standard Thermodynamic Properties of Chemical Substances, S. 5-5.</ref>
Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa).

Indiumarsenid ist eine chemische Verbindung von Indium und Arsen. Sie ist ein Halbleiter und zählt zu den III-V-Halbleitern.

Gewinnung und Darstellung

Indiumarsenid bildet sich bei hohen Temperaturen aus den Elementen:<ref>Grundlagen und Hauptgruppenelemente. Walter de Gruyter GmbH & Co KG, 2016, ISBN 978-3-11-049340-5 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche). </ref>

<math>\mathrm{In\ +\ As \longrightarrow\ InAs} </math>

Eigenschaften

Datei:Indium arsenide.jpg

InAs-Einkristallbruchstücke

Indiumarsenid kristallisiert in der Sphalerit-Struktur: Arsenid bildet eine kubisch dichteste Kugelpackung und Indium besetzt die Hälfte der Tetraederlücken. Die Bandlücke des Halbleiters beträgt 0,35 eV.

Verwendung

Wie andere III-V-Halbleiter findet Indiumarsenid Anwendung in der Halbleiterindustrie. Es wird für Photodioden in Detektoren für Infrarotstrahlung verwendet. Ein weiteres Anwendungsgebiet sind Laserdioden.

Sicherheitshinweise

Indiumarsenid ist aufgrund des enthaltenen Arsens giftig und cancerogen.

Einzelnachweise

<references />

Literatur

• A. F. Holleman, E. Wiberg, N. Wiberg: Lehrbuch der Anorganischen Chemie. 102. Auflage. Walter de Gruyter, Berlin 2007, ISBN 978-3-11-017770-1.