Indiumnitrid

Kristallstruktur
Struktur von Indiumnitrid
Vorlage:Farbe In3+ 0 Vorlage:Farbe N3−
Allgemeines
Name	Indiumnitrid
Andere Namen	Indium(III)-nitrid Indiumstickstoff
Verhältnisformel	InN
Kurzbeschreibung	schwarzer Feststoff<ref name="brauer">Georg Brauer (Hrsg.), unter Mitarbeit von Marianne Baudler u. a.: Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie. 3., umgearbeitete Auflage. Band I, Ferdinand Enke, Stuttgart 1975, ISBN 3-432-02328-6, S. 872.</ref>
Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer Vorlage:CASRN EG-Nummer 247-130-6 ECHA-InfoCard 100.042.831 PubChem 117560 DrugBank Vorlage:Wikidata-Einbindung Wikidata [[:d:|]]
Eigenschaften
Molare Masse	128,83 g·mol−1
Aggregatzustand	fest<ref name="Sigma" />
Dichte	6,89 g·cm−3<ref name="brauer" />
Schmelzpunkt	1100 °C<ref name="William M. Haynes"></ref>
Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung<ref name="Sigma">Datenblatt Vorlage:Linktext-Check bei Sigma-AldrichVorlage:Abrufdatum (PDF).</ref> keine GHS-Piktogramme H- und P-Sätze H: keine H-Sätze P: keine P-Sätze<ref name="Sigma" />
Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa).

Indiumnitrid (InN) ist eine anorganische chemische Verbindung des Indiums aus der Gruppe der Nitride.

Gewinnung und Darstellung

Indiumnitrid kann durch Reaktion von Ammoniumhexafluoroindat mit Ammoniak bei 580 bis 600 °C gewonnen werden.<ref name="brauer" />

<math>\mathrm{(NH_4 )_3 InF_6 + 4 \ NH_3 \longrightarrow InN + 6 \ NH_4 F}</math>

Eigenschaften

Indiumnitrid ist ein schwarzer, luftbeständiger Feststoff. Er wird von Natronlauge und von konzentrierter Schwefelsäure aufgelöst, von den anderen Mineralsäuren dagegen nicht. Er besitzt eine Kristallstruktur vom Wurtzit-Typ (a = 353,3 pm, c = 569,3 pm).<ref name="brauer" /> Die Verbindung ist ein III-V-Verbindungshalbleiter, der aus Indium und Stickstoff gebildet ist. Potenzielle zukünftige Anwendungen dieses Werkstoffes liegen in Kombinationen mit Galliumnitrid im Bereich von Solarzellen.<ref>T. D. Veal, C. F. McConville, and W. J. Schaff (Eds), Indium Nitride and Related Alloys (CRC Press, 2009)</ref>

Der temperaturabhängige Bandabstand von InN beträgt bei 300 K ca. 0,7 eV und liegt im infraroten Spektralbereich.<ref>V. Yu. Davydov: Absorption and Emission of Hexagonal InN. Evidence of Narrow Fundamental Band Gap (PDF; 86 kB), Phys. Stat. Solidi (b) 229 (2002) R1 (engl.)</ref><ref></ref> Indiumnitrid bildet mit Galliumnitrid den ternären Verbindungshalbleiter Indiumgalliumnitrid, dessen Bandlücke im Herstellungsprozess durch das Verhältnis der beiden Komponenten über einen sehr weiten Bereich von 0,7 bis 3,4 eV einstellbar ist.

Dünne polykristalline Strukturen von Indiumnitrid zeigen bei Temperaturen unter T_c=3,3 K supraleitende Eigenschaften, die auch unter dem Einfluss von hohen magnetischen Flussdichten bestehen bleiben.<ref>T. Inushima: Electronic structure of superconducting InN, in Sci. Techn. Adv. Mater. 7, 2006, Seiten 112; .</ref>

Einzelnachweise

<references />