Trimethylgallium
| Strukturformel | ||||||||||||||||
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| Strukturformel von Trimethylgallium | ||||||||||||||||
| Allgemeines | ||||||||||||||||
| Name | Trimethylgallium | |||||||||||||||
| Andere Namen |
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| Summenformel | C3H9Ga | |||||||||||||||
| Kurzbeschreibung |
klare, farblose Flüssigkeit<ref name="Shen1">D. Shenaikhatkhate, R. Goyette, R. Dicarlojr, G. Dripps: Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors. In: Journal of Crystal Growth. 272, 2004, S. 816–821, doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.</ref> | |||||||||||||||
| Externe Identifikatoren/Datenbanken | ||||||||||||||||
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| Eigenschaften | ||||||||||||||||
| Molare Masse | 114,827 g·mol−1 | |||||||||||||||
| Aggregatzustand |
flüssig | |||||||||||||||
| Siedepunkt |
~55 °C<ref name="Hess">Hess, K.L., Dapkus, P.D., Manasevit, H.M. et al.: An analytical evaluation of GaAs grown with commercial and repurified trimethylgallium. JEM 11, 1122 (1982). doi:10.1007/BF02658919.</ref> | |||||||||||||||
| Dampfdruck |
193 hPa (20 °C)<ref name="Aldrich"/> | |||||||||||||||
| Löslichkeit |
Reagiert heftig mit Wasser<ref name="Shen1"/> | |||||||||||||||
| Sicherheitshinweise | ||||||||||||||||
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| Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa). | ||||||||||||||||
Trimethylgallium mit der Konstitutionsformel Ga(CH3)3, auch als TMG oder als TMGa bezeichnet, ist eine metallorganische Verbindung des Galliums.
Darstellung[Bearbeiten]
Trimethylgallium kann durch die Umsetzung von Galliumtrichlorid mit Dimethylzink bei 120 °C gewonnen werden.<ref name="Kraus1"/>
- <math>\mathrm{ 2\ GaCl_3\ +\ 3\ (CH_3)_2Zn\ \rightarrow \ 2\ Ga(CH_3)_3\ +\ 3\ ZnCl_2}</math>
Eine Reaktion von Methylmagnesiumchlorid mit Galliumtrichlorid in Diethylether führt zu Trimethylgallium monodiethyletherat, dem Diethyletheradukt des Trimethylgallium.<ref name="Kraus1"/>
Eigenschaften[Bearbeiten]
Es ist bei Raumtemperatur eine klare, farblose Flüssigkeit, welche an Luft selbstentzündlich ist und mit Wasser heftig reagiert.<ref name="Shen1"/><ref name="Kraus1">Vorlage:Cite book/URLVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/MeldungVorlage:Cite book/Meldung2</ref> Trimethylgallium muss unter trockener Schutzgasatmosphäre bei Temperaturen unter 25 °C gelagert und gehandhabt werden.
Verwendung[Bearbeiten]
Trimethylgallium dient im Rahmen der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) als Galliumquelle zur Herstellung von Verbindungshalbleitern wie Galliumphosphid (GaP), Galliumarsenid (GaAs), Galliumantimonid (GaSb), Galliumnitrid (GaN) und Indiumgalliumnitrid (InxGa1−xN), die unter anderem im Bereich der Optoelektronik Ausgangsstoffe für die Herstellung von Leuchtdioden sind.
Einzelnachweise[Bearbeiten]
<references />
- Wikipedia:Seite mit Skriptfehlern
- Wikipedia:Defekter Dateilink
- Wikipedia:Wikidata-Wartung:EG-Nummer abweichend
- Wikipedia:Wikidata-Wartung:ECHA-InfoCard-ID abweichend
- Wikipedia:Wikidata-Wartung:PubChem abweichend
- Wikipedia:Wikidata-Wartung:DrugBank fehlt lokal
- Feuergefährlicher Stoff
- Beschränkter Stoff nach REACH-Anhang XVII, Eintrag 40
- Ätzender Stoff
- Wikipedia:Verwendet aufgehobene P-Sätze
- Wikipedia:Wikidata-Wartung:CAS-Nummer fehlt lokal
- Wikipedia:Vorlagenfehler/Vorlage:Literatur/Interner Fehler
- Galliumverbindung
- Metallalkyl